[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法无效
| 申请号： | 201210059609.7 | 申请日： | 2012-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102543867A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 焦峰;周刘飞;王海宏 | 申请（专利权）人： | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1368;G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210033 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：通过第一次光刻工艺在衬底基板上形成栅扫描线图案、栅电极图案和栅扫描线端子图案；通过使用半色调掩膜版或灰色调掩膜版的第二次光刻工艺形成金属氧化物层图案和刻蚀阻挡层图案；通过第三次光刻工艺形成数据线图案、数据线端子图案、源电极图案和漏电极图案；通过第四次光刻工艺形成漏电极接触孔图案、栅扫描线端子接触孔图案和数据线端子接触孔图案；通过第五次光刻工艺形成像素电极图案、栅扫描线端子接触电极图案和数据线端子接触电极图案。本发明能减少阵列基板制作工序的光刻次数，提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：(100)通过第一次光刻工艺在衬底基板上形成栅扫描线图案、栅电极图案和栅扫描线端子图案；(200)通过使用半色调掩膜版或灰色调掩膜版的第二次光刻工艺在形成上述图案的衬底基板上形成金属氧化物层图案和刻蚀阻挡层图案；(300)通过第三次光刻工艺在形成步骤(200)所述图案的衬底基板上形成数据线图案、数据线端子图案、源电极图案和漏电极图案；(400)通过第四次光刻工艺在形成步骤(300)所述图案的衬底基板上形成漏电极接触孔图案、栅扫描线端子接触孔图案和数据线端子接触孔图案；(500)通过第五次光刻工艺在形成步骤(400)所述图案的衬底基板上形成像素电极图案、栅扫描线端子接触电极图案和数据线端子接触电极图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，未经南京中电熊猫液晶显示科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210059609.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种平面印刷宽带定向天线
- 下一篇：雷达综合辐射功率检测方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
