[发明专利]金属微结构形成方法无效

专利信息
申请号: 201210058118.0 申请日: 2009-08-21
公开(公告)号: CN102621804A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 王宏杰;黄雅如 申请(专利权)人: 技鼎股份有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;C25D5/02
代理公司: 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人: 刘俊
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种金属微结构形成方法,是应用于微结构组件制造过程,利用本发明的金属微结构形成方法,于形成微结构组件的立体金属微结构时,无须电镀第二种金属以围绕在金属外围、且无须蚀刻第二种金属,而可降低电镀所造成的残留应力、金属层间不会有残留应力,金属所附着的基板不致变形,而不致影响微结构组件后续制造过程进行,且,由于无须蚀刻第二种金属,因而,不会有蚀刻液渗入每层接口的问题,不会造成每层的附着力降低,而不致影响微结构组件的功能。
搜索关键词: 金属 微结构 形成 方法
【主权项】:
一种金属微结构形成方法,为应用于微结构组件制造过程,其特征在于,该金属微结构形成方法包含以下步骤:选取一基板,于该基板上沉积第一种子层再批覆第一层光阻;进行该第一层光阻烘烤,该第一层光阻经烘烤后,其中溶剂蒸发而变硬,之后进行曝光、显影,以成形所需的第一层光阻微结构图案;在该第一层光阻微结构图案凹洞内电镀所需的金属结构;进行研磨加工以得到第一层金属微结构,该研磨加工将使得第一层光阻与电镀金属厚度一致;进行光阻批覆动作,再次进行光阻批覆,以成形第二层光阻;进行该第二层光阻的烘烤、曝光、显影,以成形所需的第二层光阻微结构;沉积第二种子层,该第二种子层为电镀起始层,具导电性及与该第二层光阻及该电镀金属间的附着性,在此,该第二层光阻微结构较该第一层光阻微结构为宽且大;在该第二层光阻微结构图案凹洞内电镀所需的金属结构;进行研磨加工以得到第二层金属微结构,研磨加工将使得该第二层光阻与该电镀金属厚度一致;进行光阻批覆动作,再次进行光阻批覆,以成形第三层光阻;进行第三层光阻的烘烤、曝光、显影,以成形所需的第三层光阻微结构;在该第三层光阻微结构图案凹洞内电镀所需的金属结构;进行研磨加工以得到第三层金属微结构,研磨加工将使得该第三层光阻与该电镀金属厚度一致;以溶剂或以反应性离子蚀刻去除该第一层光阻微结构、该第二层光阻微结构、以及该第三层光阻微结构,用以释出包含该第一层金属微结构、该第二层金属微结构、以及该第三层金属微结构的金属微结构;以及以蚀刻液移除未被该第一层金属微结构、该第二层金属微结构、以及该第三层金属微结构所覆盖的该第一种子层部份,以于该基板上得到 该金属微结构。
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