[发明专利]为拼接单元加入去耦功能有效
| 申请号： | 201210057516.0 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102779806A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 陈国基;田丽钧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 拼接单元，包括：阱区域；阱区域上的阱拾取区域；VDD导电轨；VSS导电轨；以及第一MOS电容器，电容器包括作为第一电容器极板的第一栅电极线，以及作为第二电容器极板的部分的第一阱拾取区域，其中第一电容器极板和第二电容器极板中的一个连接至VDD导电轨，并且第一电容器极板和第二电容器极板中的另一个连接到VSS导电轨。本发明还提供了为拼接单元加入去耦功能。 | ||
| 搜索关键词： | 拼接 单元 加入 功能 | ||
【主权项】：
一种电路，包括：拼接单元，包括：阱区域；所述阱区域的第一阱拾取区域；VDD导电轨；VSS导电轨；以及第一MOS电容器，所述电容器包括作为第一电容器极板的第一栅电极线，以及作为第二电容器极板的部分的所述第一阱拾取区域，其中所述第一电容器极板和所述第二电容器极板中的一个连接至所述VDD导电轨，并且所述第一电容器极板和所述第二电容器极板中的另一个连接到所述VSS导电轨。
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