[发明专利]光掩模及其制造方法有效
| 申请号： | 201210053889.0 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102789126A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 奥田健太郎;冈本阳介;桥本隆希;佐藤英典 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌;陈萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的后述的实施方式涉及光掩模及其制造方法。光掩模具备：基板；膜部，设置在上述基板的表面上，具有比上述基板的光透射率低的光透射率；图案，设置在上述膜部表面上，被转印到被转印体上；以及检测标记，在上述膜部上设置有多个，透射光的强度被抑制，以便抑制向上述被转印体的转印。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光掩模，其特征在于，具备：基板；膜部，设置在上述基板的表面上，具有比上述基板的光透射率低的光透射率；图案，设置在上述膜部表面上，被转印到被转印体上；以及检测标记，在上述膜部上设置有多个，透射光的强度被抑制，以便抑制向上述被转印体的转印。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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