[发明专利]半导体装置和层叠式半导体装置有效
| 申请号： | 201210052987.2 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102856297A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 郑椿锡;李在眞 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：TSV，TSV被形成为与另一个芯片电连接；以及TSV测试单元，TSV测试单元被配置成检查TSV的电容分量以产生TSV异常信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 层叠 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：TSV，所述TSV被形成为与另一芯片电连接；以及TSV测试单元，所述TSV测试单元被配置成检查所述TSV的电容分量以产生TSV异常信号。
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