[发明专利]一种GaN基LED超晶格缓冲层结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210051922.6 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103296161A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 邢志刚;彭昀鹏 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基LED超晶格缓冲层结构及其制备方法，通过在蓝宝石衬底上周期交替制备GaN层及Al1-xGaxN层，形成具有超晶格结构的缓冲层，并通过控制通入的Al原子及Ga原子数目的比例控制所述Al1-xGaxN层中Ga组分的变化，或通过控制外延GaN层及Al1-xGaxN层的时间比例控制其厚度比，以减小外延边缘波长与中心波长的差值逐渐，使得外延中心波长与边缘波长基本一致，从而使外延波长的均匀性得到提高。本发明还可以大幅度减少后续芯片与分选流程的时间和成本，提高了最终的产品产出率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 晶格 缓冲 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED超晶格缓冲层结构，其特征在于，所述超晶格缓冲层结构为由多个GaN层及多个Al1‑xGaxN层相互交替层叠的层叠结构，其中，0.01≤x≤1，且各该Al1‑xGaxN层中Ga组分x随层叠数的增加而递增。
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