[发明专利]一种GaN基LED超晶格缓冲层结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201210051922.6 | 申请日： | 2012-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN103296161A | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 邢志刚;彭昀鹏 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan led 晶格 缓冲 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种GaN基LED超晶格缓冲层结构，其特征在于，所述超晶格缓冲层结构为由多个GaN层及多个Al1-xGaxN层相互交替层叠的层叠结构，其中，0.01≤x≤1，且各该Al1-xGaxN层中Ga组分x随层叠数的增加而递增。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED超晶格缓冲层结构，其特征在于：所述交替层叠数为2～30。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED超晶格缓冲层结构，其特征在于：随着层叠数的增加，所述Al1-xGaxN层与所述GaN层的厚度比递增。
4.根据权利要求3所述的GaN基LED超晶格缓冲层结构，其特征在于：同一层叠的所述Al1-xGaxN层与所述GaN层的厚度比为0.1∶1～20∶1。
5.一种GaN基LED超晶格缓冲层结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：
提供蓝宝石衬底，并在所述蓝宝石衬底上形成由多个GaN层及多个Al1-xGaxN层相互交替层叠的层叠结构，其中，0.01≤x≤1，且各该Al1-xGaxN层中Ga组分x随层叠数的增加而递增。
6.根据权利要求5所述的GaN基LED超晶格缓冲层结构的制备方法，其特征在于，所述交替层叠数为2～30。
7.根据权利要求5所述的GaN基LED超晶格缓冲层结构的制备方法，其特征在于，通过控制通入的Al原子数与Ga原子数的比值来控制所述Al1-xGaxN层中x的取值。
8.根据权利要求5所述的GaN基LED超晶格缓冲层结构的制备方法，其特征在于，随着层叠数的增加，所述Al1-xGaxN层与所述GaN层的生长时间比值递增。
9.根据权利要求8所述的GaN基LED超晶格缓冲层结构的制备方法，其特征在于，同一叠层的所述Al1-xGaxN层与所述GaN层的生长时间比值为0.1∶1～20∶1。
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