[发明专利]一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法有效
| 申请号： | 201210047386.2 | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102543713A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨渝书;李程;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法。本发明一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，通过对等离子体氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀工艺的改进，采用稀氢氟酸湿法刻蚀非等离子体的氧化硅刻蚀工艺，并将其整合到刻蚀后的聚合物清洗工艺中，即在湿法清洗酸槽中增加DHF槽，从而达到在不增加工艺机台和步骤的情况下，实现无等离子体损伤，及氧化硅对硅高刻蚀选择比的刻蚀工艺，从而减少硅衬底的刻蚀损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 栅极 补偿 隔离 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一具有多晶栅的硅衬底上沉积氧化硅层；步骤S2：采用等离子体干法刻蚀方法进行氧化硅层的主刻蚀工艺；步骤S3：化学清洗步骤S2产生的聚合物，并采用稀氢氟酸湿法刻蚀进行过刻蚀工艺，以去除步骤S2剩余的氧化硅层，形成栅极补偿隔离区形貌。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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