[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210045372.7 | 申请日： | 2012-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN102693964A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于得到一种能够改善绝缘耐受性的半导体装置。在Si基板（10）（基板）上设置有栅极电阻（7）（下布线）。层间绝缘膜（12）覆盖栅极电阻（7）。在层间绝缘膜（12）上设置有彼此分离的铝布线（5a、5b）（第一以及第二上布线）。半绝缘性的保护膜（4）覆盖铝布线（5a、5b）。在栅极电阻（7）的正上方，在铝布线（5a）和铝布线（5b）之间的区域不设置保护膜（4）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：基板；设置在所述基板上的下布线；覆盖所述下布线的层间绝缘膜；设置在所述层间绝缘薄膜上并且彼此分离的第一以及第二上布线；以及覆盖所述第一以及第二上布线的半绝缘性的保护膜，在所述下布线的正上方，在所述第一上布线和所述第二上布线之间的区域，不设置所述保护膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210045372.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
