[发明专利]一种触发增强多晶二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210039824.0 | 申请日： | 2012-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN102593105A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;杜寰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，具体地说涉及一种触发增强多晶二极管。所述触发增强多晶二极管，包括半导体衬底、设置在半导体衬底上的栅氧层、设置在栅氧上的多晶硅层以及设置在多晶硅层上的多层金属，多层金属包括第一金属引出和第二金属引出；多晶硅层为注入了P型杂质和N型杂质的PIN二级管；PIN二级管的I区为低浓度P-区域或低浓度N-区域；PIN二级管的I区之下设有高浓度注入区域；第一金属引出与PIN二级管的P注入区和高浓度注入区域连接形成阳极，第二金属引出与PIN二级管的N注入区连接形成阴极。本发明还提供一种触发增强多晶二极管的制作方法。本发明具有良好的工艺兼容性及更强的静电保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 触发 增强 多晶 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种触发增强多晶二极管，其特征在于：包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底上的栅氧层、设置在所述栅氧上的多晶硅层以及设置在所述多晶硅层上的多层金属，所述多层金属包括第一金属引出和第二金属引出；所述多晶硅层为注入了P型杂质和N型杂质的PIN二级管；所述PIN二级管的I区为低浓度P‑区域或低浓度N‑区域；所述PIN二级管的I区之下设有高浓度注入区域；当所述PIN二极管的I区为低浓度P‑区域时，所述第一金属引出与所述PIN二级管的P注入区和所述PIN二级管的I区之下的高浓度注入区域连接形成阳极，所述第二金属引出与所述PIN二级管的N注入区连接形成阴极；当所述PIN二极管的I区为低浓度N‑区域时，所述第一金属引出与所述PIN二级管的P注入区连接形成阳极，所述第二金属引出与所述PIN二级管的N注入区和所述PIN二级管的I区之下的高浓度注入区域连接形成阴极。
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