[发明专利]电容式压力传感器及其制造方法

摘要

本发明揭示了一种可以用于压力测量的电容式压力传感器及其制造方法，该制造方法利用表面硅微细加工工艺，在硅衬底上淀积氧化硅牺牲层，随后在牺牲层上淀积多晶硅薄膜来作为压力敏感膜。通过多晶硅敏感膜上开的牺牲层释放孔将牺牲层部分腐蚀掉形成电容间隙。而多晶硅敏感膜上的牺牲层释放孔则又通过再次淀积多晶硅薄膜进行填充，从而形成密封腔体。最后，将多晶硅敏感膜上再次刻蚀出导气孔，并通过物理气相淀积(PVD)的方法用金属将此导气孔密封，从而在密封腔体内形成真空。

主权项

一种电容式压力传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：a) 在衬底上进行重掺杂，得到重掺杂层作为电容式压力传感器的下极板，随后在所述下极板上淀积氧化硅以形成牺牲层；b) 在所述牺牲层上淀积第一多晶硅层，并在该第一多晶硅层上形成牺牲层释放孔；c) 将所述牺牲层从牺牲层释放孔处进行掏空，以形成电容间隙；d) 在所述第一多晶硅层上淀积第二层多晶硅以密封住所述牺牲层释放孔，从而将所述电容间隙变成密闭空腔，所述第二层多晶硅作为所述电容式压力传感器的上极板，所述第一层多晶硅及所述第二层多晶硅组成压力敏感膜；e) 将上述压力敏感膜进行光刻及刻蚀，形成将电容间隙与外部气体连通的导气孔；f) 将牺牲层局部去除掉以露出下极板，而没有被去除的牺牲层形成用以支撑压力敏感膜的锚点；g) 将金属分别淀积在下极板及第二层多晶硅上以形成第一压焊点及第二压焊点，同时，所述导气孔被金属密封，进而将所述电容间隙变成密闭的真空腔体。