[发明专利]电容式压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种电容式压力传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

a) 在衬底上进行重掺杂，得到重掺杂层作为电容式压力传感器的下极板，随后在所述下极板上淀积氧化硅以形成牺牲层；

b) 在所述牺牲层上淀积第一多晶硅层，并在该第一多晶硅层上形成牺牲层释放孔；

c) 将所述牺牲层从牺牲层释放孔处进行掏空，以形成电容间隙；

d) 在所述第一多晶硅层上淀积第二层多晶硅以密封住所述牺牲层释放孔，从而将所述电容间隙变成密闭空腔，所述第二层多晶硅作为所述电容式压力传感器的上极板，所述第一层多晶硅及所述第二层多晶硅组成压力敏感膜；

e) 将上述压力敏感膜进行光刻及刻蚀，形成将电容间隙与外部气体连通的导气孔；

f) 将牺牲层局部去除掉以露出下极板，而没有被去除的牺牲层形成用以支撑压力敏感膜的锚点；

g) 将金属分别淀积在下极板及第二层多晶硅上以形成第一压焊点及第二压焊点，同时，所述导气孔被金属密封，进而将所述电容间隙变成密闭的真空腔体。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤a)中，所述淀积包括但不限于低压化学气相淀积(LPCVD)及等离子增强气相淀积(PECVD)。

3. 如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤b)中，通过对该第一多晶硅层进行掺杂与光刻来形成所述牺牲层释放孔。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤c)中，通过氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体甚高频刻蚀，以将所述牺牲层进行掏空。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤d)中，在第二多晶硅层密封住所述牺牲层释放孔后，对该第二多晶硅层进行掺杂，所述掺杂的方法包括但不限于扩散或离子注入。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤e)中，所述导气孔是通过对所述压力敏感膜进行光刻及刻蚀而形成的。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤f)中，通过氢氟酸湿法腐蚀或者氟化氢气体甚高频刻蚀，并利用多晶硅作为掩膜，将牺牲层局部去除掉以露出下极板。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：步骤g)中，所述金属是通过物理气相淀积(PVD)分别淀积在下极板及第二多晶硅层上，并随后进行光刻和刻蚀，才最终形成所述第一压焊点及所述第二压焊点。

9.一种电容式压力传感器，其包括衬底、覆盖在衬底上的下极板、与下极板相对的压力敏感膜、位于下极板与压力敏感膜之间的电容间隙、及环绕于电容间隙外围且用以支撑所述压力敏感膜的锚点，所述压力敏感膜及所述下极板分别作为所述电容式压力传感器的两个电极，其特征在于，所述电容式压力传感器还包括分别淀积在所述下极板及所述压力敏感膜上的第一压焊点及第二压焊点，所述压力敏感膜设有将电容间隙与外界气体相互连通的导气孔，所述导气孔被金属密封进而最终使所述电容间隙变成密闭的真空腔体。

10.如权利要求9所述的电容式压力传感器，其特征在于：所述压力敏感膜包括第一多晶硅层及覆盖在所述第一多晶硅层上的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层及所述下极板分别作为所述电容式压力传感器的所述两个电极，所述第二压焊点淀积在所述第二多晶硅层上，所述导气孔贯穿所述第一多晶硅层及所述第二多晶硅层。