[发明专利]用于薄膜沉积的掩模框架组件有效
| 申请号： | 201210037878.3 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102760842A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 洪宰敏 | 申请（专利权）人： | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于将沉积材料沉积在沉积基底上的掩模框架组件，该掩模框架组件包括：掩模框架，包括开口和围绕开口的多个框架；以及掩模，结合在掩模框架上。防变形单元形成在掩模的至少一个区域上。由于防变形单元形成在掩模中的沉积图案的外围部分上，所以可以减小掩模沿垂直方向的变形。因此，可以减少掩模与基底的有缺陷附着。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 沉积 框架 组件 | ||
【主权项】：
一种用于薄膜沉积的掩模框架组件，所述掩模框架组件包括：掩模框架，包括开口和围绕开口的多个框架；以及掩模，结合到掩模框架，其中，防变形单元形成在掩模的至少一个区域上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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