[发明专利]晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法有效
| 申请号： | 201210034635.4 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102649642A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 立川勉 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/47 | 分类号： | C04B35/47;H01G4/12;H01G4/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供晶界绝缘型半导体陶瓷、半导体陶瓷电容器以及半导体陶瓷电容器的制造方法。扩散剂中即使不使用Pb类材料，也能够获得良好的电气特性。晶界绝缘型半导体陶瓷以SrTiO3类化合物为主成分而形成，并且含有包含晶界绝缘化剂和玻璃成分的扩散剂。晶界绝缘化剂由不含Pb的非Pb类材料形成，并且玻璃成分以不含B和Pb的SiO2-X2O-MO-TiO2类玻璃材料(X表示碱金属，M表示选自Ba、Sr、Ca的至少一种)为主成分，并且所述玻璃成分的含量相对于100重量份所述晶界绝缘化剂为3～15重量份。部件主体2由该晶界绝缘型半导体陶瓷形成。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 半导体 陶瓷 电容器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶界绝缘型半导体陶瓷，其以SrTiO3类化合物为主成分而形成，并且含有包含晶界绝缘化剂和玻璃成分的扩散剂，其特征在于，所述晶界绝缘化剂由不含Pb的非Pb类材料形成，并且所述玻璃成分以不含B和Pb的SiO2‑X2O‑MO‑TiO2类玻璃材料为主成分，其中，X表示碱金属，M表示选自Ba、Sr、Ca的至少一种，并且所述玻璃成分的含量相对于100重量份所述晶界绝缘化剂为3～15重量份。
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