[发明专利]一种硫系太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种硫系太阳能电池及其制作方法，硫系太阳能电池包括衬底、ITO、纳米结构层、纳米硅层和下电极；所述下电极设在纳米硅层上；所述纳米硅层设在纳米结构层上；所述纳米结构层设在ITO上；所述ITO设在衬底上；方法包括衬底的处理、透明导电层的生长、纳米结构层的制备、纳米硅层(Nano-Si)生长和蒸镀下电极步骤。基于ZnS、CdS、CdTe纳米晶或nano-Si和非晶硅薄膜组成的多结面硫系太阳能电池结构，对可见光的吸收极大增大，从而其光电转化效率较普通单层薄膜太阳电池高；可以通过改变生长条件控制纳米结构介质层中纳米晶或纳米线的尺寸及分布，从而达到调节纳米晶层的光学带隙宽度的目的；硫系太阳能电池制作方法与传统的半导体硅工艺相兼容。

主权项

一种硫系太阳能电池，其特征在于：包括衬底(1)、ITO(2)、纳米结构层(3)、纳米硅层(4)和下电极(5)；所述下电极(5)设在纳米硅层(4)上；所述纳米硅层(4)设在纳米结构层(3)上；所述纳米结构层(3)设在ITO(2)上；所述ITO(2)设在衬底(1)上；其中，所述纳米结构层(3)包括II‑VI族半导体纳米晶ZnS层(30)、CdS纳米晶层(31)和CdTe纳米晶层(32)；所述II‑VI族半导体纳米晶ZnS层(30)设在ITO(2)上；所述纳米硅层(4)设在CdTe纳米晶层(32)上；所述CdS纳米晶层(31)位于II‑VI族半导体纳米晶ZnS层(30)与CdTe纳米晶层(32)之间；所述II‑VI族半导体纳米晶ZnS层(30)与CdS纳米晶层(31)之间、CdS纳米晶层(31)与CdTe纳米晶层(32)之间、CdTe纳米晶层(32)与纳米硅层(4)之间均设有介质薄层氧化硅(6)。