[发明专利]制造非易失性存储器件的方法有效
| 申请号： | 201210021562.5 | 申请日： | 2012-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102768979A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 杨永镐 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在由第一隔离层限定的有源区之上形成具有隧道电介质层和浮栅导电层的衬底结构；在衬底结构之上形成第一栅间电介质层和第一控制栅导电层；通过将第一控制栅导电层、第一栅间电介质层、浮栅导电层、隧道电介质层和有源区刻蚀到给定的深度来形成沟槽；形成填充沟槽的第二隔离层；以及在形成有第二隔离层的所得结构之上形成第二控制栅导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 非易失性存储器 方法 | ||
【主权项】：
一种制造非易失性存储器件的方法，包括以下步骤：在由第一隔离层限定的有源区之上形成具有隧道电介质层和浮栅导电层的衬底结构；在所述衬底结构之上形成第一栅间电介质层和第一控制栅导电层；通过将所述第一控制栅导电层、所述第一栅间电介质层、所述浮栅导电层、所述隧道电介质层和所述有源区刻蚀到给定的深度来形成沟槽；形成第二隔离层以填充所述沟槽；以及在形成有所述第二隔离层的所得结构之上形成第二控制栅导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
