[发明专利]含易挥发组分多元化合物红外非线性单晶的退火方法无效

专利信息
申请号: 201210020053.0 申请日: 2012-01-19
公开(公告)号: CN102618935A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 王振友;吴海信;倪友保;黄昌保;毛明生;程旭东 申请(专利权)人: 中国科学院安徽光学精密机械研究所
主分类号: C30B33/02 分类号: C30B33/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230031 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及无机化合物单晶退火改性领域,尤其涉及含易挥发组分多元化合物红外非线性晶体材料的退火方法。本发明采用近化学计量比多晶料作为退火气氛,并将多晶料的挥发与单晶退火分离克服了在未了解含易挥发组分晶体缺陷种类及其比例情况下,通过改变各种退火参数尝试退火实验的盲目性。根据晶体生长与温度梯度退火组分挥发互补的特点,通过改变高温区温度和温度梯度,即可改变挥发成分的比例和退火速率,实现对单晶快速、有效的退火。
搜索关键词: 挥发 组分 多元 化合物 红外 非线性 退火 方法
【主权项】:
含易挥发组分多元化合物红外非线性晶体材料的退火方法,其特征在于包括以下步骤:①设计并制作三段退火炉,分为退火区,梯度区和高温区;②去离子水清洗并烘干石英坩埚,将欲退火晶片置于坩埚的一端,多晶料放入镀碳小舟并置于所述坩埚的另一端,室温下抽真空至10‑3Pa时熔封该坩埚;③将所述熔封后的石英坩埚置入所述三段退火炉内,将该石英坩埚装有多晶料的一端置于高温区内,将该石英坩埚装有退火晶片一端置于退火区内;所述高温区以10~50℃/h的速率升至晶体熔点以下50~100℃,所述退火区以相应的升温速率升至晶体熔点以下150~400℃,所述梯度区保持其温度在高温区与低温区之间随位置线性变化,升温完成后进入恒温阶段,保持炉体温度不变并持续100~200h进行晶体退火;④以10~50℃/h的降温速率将高温区匀速降至室温,同时低温区、梯度区温度也在该段时间内匀速降至室温,将晶片从石英坩埚中取出,即完成整个退火过程。
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