[发明专利]一种V-Si-N纳米复合硬质涂层及其制备方法有效
申请号: | 201210007178.X | 申请日: | 2012-01-11 |
公开(公告)号: | CN102560355A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 黄峰;葛芳芳;李艳玲;戴丹 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/34 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 刘诚午 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种V-Si-N纳米复合硬质涂层的制备方法,包括以下步骤:基体清洗;沉积涂层:将Si靶安装在中频阴极上,V靶安装在直流阴极上,Si靶和V靶通过挡板与基体隔离,先通入Ar气,进行预溅射,再通入N2气,通过调节Si靶的功率和V靶的功率,在350~600℃和0.3~1.0Pa条件下,沉积V-Si-N纳米复合硬质涂层,其可操作性强、可控性好、易于实施。本发明还公开了一种V-Si-N纳米复合硬质涂层,成分表示为(V1-xSix)N,其中,1-x为0.7~0.98,x为0.02~0.3,兼具有高硬度和低摩擦系数的性能,沉积有该涂层的刀具加工效率高、加工质量好,具有很大的应用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 si 纳米 复合 硬质 涂层 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种V‑Si‑N纳米复合硬质涂层的制备方法,包括以下步骤:(1)基体清洗;(2)沉积涂层:在真空室中,将Si靶安装在中频阴极上,V靶安装在直流阴极上,Si靶和V靶到基体的距离均为5cm~10cm,Si靶和V靶通过挡板与基体隔离,先通入Ar气,进行预溅射,再通入N2气,通过调节Si靶的功率和V靶的功率,在350℃~600℃和0.3Pa~1.0Pa条件下,对基体溅射沉积V‑Si‑N纳米复合硬质涂层,得到V‑Si‑N纳米复合硬质涂层;所述的Si靶的功率密度为0.5~2.5W/cm2,V靶的功率密度为2.5~6.5W/cm2,所述的基体的偏压为‑30V~‑70V。
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