[发明专利]缓蚀剂、其制备方法及化学机械抛光组合物有效
| 申请号： | 201210004900.4 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN102586783A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 路新春;董莹;戴媛静;雒建斌 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23F11/14 | 分类号： | C23F11/14;C07D257/06;C07D249/14;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 李志东 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供了一种新的、含有唑基和酮基的缓蚀剂，其结构为(I)所示。进一步地，本发明还提供了上述缓蚀剂的制备方法和含有该缓蚀剂的酸性化学机械抛光组合物。本发明公开的缓蚀剂，适合在超大规模集成电路多层铜布线铜的低下压力化学机械抛光组合物中使用，可迅速在铜表面成膜，保护铜表面，抑制腐蚀，显著减少化学腐蚀坑等缺陷，改善抛光液的性能。 |
||
| 搜索关键词： | 缓蚀剂 制备 方法 化学 机械抛光 组合 | ||
【主权项】：
1.一种缓蚀剂，其结构式如下：![]()
R2＝H、-OH、-(CH2)nCH3，其中n为0-4的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210004900.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
