[发明专利]一种混合集成的声表面波器件结构无效
| 申请号： | 201210001653.2 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102437832A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 刘卫国;刘欢;蔡长龙;高爱华;程进 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | H03H9/145 | 分类号： | H03H9/145 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种混合集成的声表面波器件结构，特别适用于高频、高机电耦合系数、高集成度的声表面波器件。现有技术声表面波器件的体积和重量较大，无法满足要求苛刻的武器装备。为了解决现有技术中的问题，本发明提供的一种混合集成的声表面波器件结构，是用压电晶体作为薄压电层，薄压电层的厚度为10-80um，在压电晶体上表面设置叉指换能器，叉指换能器简称IDT；然后在IDT上设置类金刚石薄膜表层，类金刚石薄膜厚度为1-10um；在厚硅的一个表面上设置集成电路层；最后通过低温键合技术将压电晶体的下表面与厚硅上表面进行键合。本发明降低了器件的体积同时也降低了器件的重量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 混合 集成 表面波 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种混合集成的声表面波器件结构，其特征在于：是用压电晶体作为薄压电层（103），薄压电层（103）的厚度为10‑80 um，在压电晶体上表面设置叉指换能器，叉指换能器简称IDT（102）；然后在IDT（102）上设置类金刚石薄膜（101）表层，类金刚石薄膜（101）厚度为1‑10um；在厚硅（105）的一个表面上设置集成电路层（104）；最后通过低温键合技术将压电晶体的下表面与厚硅（105）上表面进行键合。
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