[发明专利]包括结合使用双镶嵌型方案制造的微细间距背侧金属再分布线的穿硅过孔的3D互连结构有效
| 申请号： | 201180074420.9 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103890940A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | K·J·李;M·T·博尔;A·W·杨;C·M·佩尔托;H·科塔里;S·V·萨蒂拉朱;H-S·马 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60;H01L23/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明说明了一种3D互连结构和制造方法，其中，使用双镶嵌型工艺流程形成穿硅过孔(TSV)和金属再分布层(RDL)。可以在减薄的器件晶片背侧和RDL之间提供氮化硅或碳化硅钝化层，以在工艺流程过程中提供密封屏障和蚀刻停止层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 结合 使用 镶嵌 方案 制造 微细 间距 金属 再分 布线 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种3D互连结构，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面和背表面；以及双镶嵌过孔和再分布层(RDL)；其中，所述过孔在所述正表面与所述背表面之间延伸穿过所述半导体衬底，并且所述RDL形成于所述背表面之上。
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