[发明专利]存储元件的驱动方法及使用存储元件的存储装置有效
| 申请号： | 201180041391.6 | 申请日： | 2011-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN103081017A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 高桥刚;增田雄一郎;古田成生;角谷透;小野雅敏;林豊;福冈敏美;清水哲夫;库玛拉古卢巴兰·索姆;菅洋志;内藤泰久 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所;株式会社船井电机新应用技术研究所;船井电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/10;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂宁乐;浦柏明 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 更稳定地进行开关动作。存储元件10具有：绝缘性基板；第一电极2及第二电极3，其设置于绝缘性基板；电极间间隙部4，其设置在第一电极与第二电极之间，具有产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象的纳米级的间隙，该存储元件10能够从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换以及能够从高电阻状态向所述低电阻状态转换，该存储元件10的驱动方法的特征在于，在从高电阻状态向所述低电阻状态转换时，通过恒流电路向存储元件施加电流脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 驱动 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件的驱动方法，所述存储元件具有：绝缘性基板，第一电极及第二电极，设置于所述绝缘性基板上，电极间间隙部，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，具有纳米级的间隙，该纳米级的间隙用于产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象；所述存储元件能够从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换以及能够从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换；所述存储元件的驱动方法的特征在于，在从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换时，通过恒流电路向所述存储元件施加电流脉冲。
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