[发明专利]电流控制用半导体元件以及使用其的控制装置有效

专利信息
申请号: 201180032330.3 申请日: 2011-06-02
公开(公告)号: CN102971843A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 广津铁平;金川信康;田边至 申请(专利权)人: 日立汽车系统株式会社
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L21/822;H01L27/04;H01L27/088;H03K17/14;H03K17/695
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王亚爱
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种电流控制用半导体元件、以及使用了该电流控制用半导体元件的控制装置,其能够除去感应比的温度分布依赖性并且能提高基于感应MOSFET的电流检测的精度。电流控制用半导体元件(1)在同一半导体芯片上具有:驱动电流的主MOSFET(7)、和与主MOSFET(7)并联连接并用于分流主MOSFET的电流来进行电流检测的感应MOSFET(8)。主MOSFET使用具有多个沟道并且排列成一列的多指MOSFET来形成。若设从多指MOSFET(7)的中心到最远的沟道为止的距离为L,则将多指MOSFET的距中心最接近的位置的沟道用作感应MOSFET(8)的沟道。
搜索关键词: 电流 控制 半导体 元件 以及 使用 装置
【主权项】:
1.一种电流控制用半导体元件,其特征在于,在同一半导体芯片上具有:驱动电流的主MOSFET;和与所述主MOSFET并联连接,用于分流所述主MOSFET的电流来进行电流检测的感应MOSFET,所述主MOSFET使用具有多个沟道并且排列成一列的多指MOSFET而形成,所述多指MOSFET的一部分的沟道用作所述感应MOSFET用的沟道,并且,若设从所述多指MOSFET的中心到最远的沟道为止的距离为L,则将所述多指MOSFET的距中心最接近的位置的沟道用作所述感应MOSFET用的沟道。
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