[发明专利]用于有机电子器件的电极处理方法

摘要

本发明涉及处理有机电子（OE）器件，特别是有机场效应晶体管（OFET）中的电极的方法、通过该方法制备的器件，以及用于该方法中的材料和配制剂。

主权项

1.包括以下步骤的方法：在电子器件中提供一个或多个包含金属或金属氧化物的电极，和将包含式I化合物的层沉积在所述电极的表面上，以及将有机半导体沉积在被所述包含式I化合物的层覆盖的所述电极表面上，或者沉积在两个或更多个所述电极之间的区域内，其中X¹、X²、X³彼此独立地选自-N(H)-、-N=、=N-、-C(R^x)=、=C(R^x)-和-S-，其中X¹、X²和X³的至少一个不同于-C(R^x)=和=C(R^x)-，R^x在每次出现时相同或不同地为H、SH、NH₂或者具有1－15个C原子的直链或支化的烷基，其中一个或多个非相邻的C原子任选地被-O-、-S-、-NR⁰-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、O-CO-O-、-CR⁰=CR⁰⁰-或-C≡C-代替，并且其中一个或多个H原子任选地被F、Cl、Br、I或CN代替，R¹和R²彼此独立地为F、Cl、P-Sp-或者具有1－15个C原子的直链或支化的烷基，其中一个或多个非相邻的C原子任选地被-O-、-S-、-NR⁰-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CR⁰=CR⁰⁰-或-C≡C-代替，并且其中一个或多个H原子任选地被F、Cl、Br、I或CN代替，或者表示未取代或者被一个或多个非芳族基团R取代的具有2－30个C原子的芳基、杂芳基、芳基氧基、杂芳基氧基、芳基羰基、杂芳基羰基、芳基羰基氧基、杂芳基羰基氧基、芳基氧基羰基或杂芳基氧基羰基，或者R¹和R²彼此并且与它们连接的5元杂环一起形成包含5－7个环原子并且未取代或被1、2、3、4或5个基团R取代的芳族或杂芳族环，R⁰和R⁰⁰彼此独立地为H或任选包含一个或多个杂原子的任选取代的碳基或烃基，R在每一情形下相同或不同地为H、P-Sp-、卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR⁰R⁰⁰、-C(=O)X⁰、-C(=O)R⁰、-NH₂、-NR⁰R⁰⁰、-SH、-SR⁰、-SO₃H、-SO₂R⁰、-OH、-NO₂、-CF₃、-SF₅，任选取代的甲硅烷基，任选取代且任选包含一个或多个杂原子的具有1到40个C原子的碳基或烃基，P是可聚合或可交联基团，Sp是间隔基团或单键，X⁰是卤素。