[发明专利]光电元件有效
| 申请号： | 201180007780.7 | 申请日： | 2011-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN102792515A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 神户伸吾(已逝);关口隆史;山木健之;矢口充雄;西出宏之;小柳津研一;加藤文昭;铃鹿理生 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;学校法人早稻田大学 |
| 主分类号： | H01M14/00 | 分类号： | H01M14/00;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;苗堃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供具备具有优异的电子输送特性和足够宽的反应界面的电子输送层、且转换效率优异的光电元件。在本发明中，光电元件具有第一电极（4）、第二电极（6）、夹持于所述第一电极（4）与所述第二电极（6）之间的电子输送层（1）和空穴输送层（5）、电解质溶液、和导电助材（3）。所述电子输送层（1）具备具有能够重复氧化还原的氧化还原部的有机化合物。所述电解质溶液具有使所述氧化还原部的还原状态稳定化的功能。所述有机化合物和所述电解质溶液形成凝胶层（2）。所述导电助材（3）存在于所述凝胶层（2）内并且所述导电助材（3）的至少一部分与所述第一电极（4）相接。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 | ||
【主权项】：
一种光电元件，其特征在于，具有第一电极、第二电极、夹持于所述第一电极与所述第二电极之间的电子输送层和空穴输送层、电解质溶液、以及导电助材，所述电子输送层具有有机化合物，所述有机化合物具有能够重复氧化还原的氧化还原部，所述电解质溶液具有使所述氧化还原部的还原状态稳定化的功能，所述有机化合物与所述电解质溶液形成凝胶层，所述导电助材存在于所述凝胶层内，并且所述导电助材的至少一部分与所述第一电极相接。
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- 吴绍龙;高翔;李孝峰;严继木;翟雄飞 - 苏州大学
- 2016-06-08 - 2018-05-29 - H01M14/00
- 本发明公开了一种光电化学响应的改性方法及光电化学电池，属光电转换与能源领域。该方法的关键步骤包括：热还原法制备金属纳米颗粒；制作以金属纳米颗粒为核心，二氧化硅为壳层的核壳纳米颗粒；将金属‑二氧化硅的核壳纳米颗粒修饰于硅微纳结构阵列表面；(4)以核壳纳米颗粒修饰的硅微纳结构阵列为基底使用原子层沉积技术沉积二氧化钛钝化层；退火处理，使得二氧化钛由无定型态转变为锐钛型；将表面修饰和钝化后的硅微纳结构阵列加工为电极，构筑成光电化学电池。本发明结合金属‑二氧化硅核壳纳米颗粒的表面修饰和晶型二氧化钛层的表面钝化，大幅度提高和稳定硅微纳结构阵列电极的光电化学响应。
- 光电极材料及光电池材料-201510933437.5
- 小松信明;伊藤朋子;南條真一郎;永井裕己 - 国际先端技术综合研究所株式会社
- 2010-10-21 - 2018-05-25 - H01M14/00
- 本发明提供将低成本且对环境无负担并且稳定的以氧化硅作为成分的物质予以简便处理而得的光电转换材料，及利用其的光电池、次级光电池。将为含有氧化硅的组合物的人工水晶、熔融石英玻璃、钠钙玻璃、无碱玻璃、硼硅酸盐玻璃予以粉碎，并以氢卤酸水溶液浸渍处理，进行水洗·干燥。将此材料以电极板载持并放至已加入适当电解质的水中，与对向电极之间进行电性连接，经由照射光而作为光电极使用。此外，将此材料与有机电解质同时封入具有透明电极与对向电极的容器中，并经由透明电极照射光，从而构成光电池。
- 一种以杂多酸盐为负极材料的光充电二次电池-201711276087.5
- 晏南富;崔红敏;石劲松;柳跃伟 - 江西省科学院应用化学研究所
- 2017-12-06 - 2018-05-04 - H01M14/00
- 一种以杂多酸盐为负极材料的光充电二次电池，包括光阳极（1）、正极（2）、负极（3）、锂离子导体膜（4）。所述负极材料，由纳米杂多酸盐材料、导电剂和粘结剂按照一定的质量比混合，加入到分散剂中，充分搅拌使混料均匀，涂覆并烘干制成电极片。本发明中纳米杂多酸酸盐材料的制备包括将无机盐溶液与杂多酸水溶液进行混合，得到固相纳米杂多酸酸盐材料和电极材料的制备。本发明采用的杂多酸盐具有结构和组成上的多样性，高的热稳定性，光还原性，能够进行可逆的、连续的多电子氧化还原。本发明方法制备的光充电二次电池在光照条件下可进行充电，充分利用太阳能，节省充电能源，成本低廉、设备简单。
- ITO衬底上无溶剂元素直接制备PbS薄膜的方法-201510191474.3
- 王鹏;范丽波;陈静;王安梅;陈素华;张振华;申子官 - 许昌学院
- 2015-04-22 - 2018-03-06 - H01M14/00
- 本发明公开在ITO衬底上无溶剂元素直接制备PbS薄膜的方法，应用硫粉的低温升华特性,在密闭的充满氮气的反应釜内，在溅射有单质铅膜的氧化铟锡导电玻璃(ITO)衬底上，在低温的条件下，元素直接反应，原位生长PbS薄膜，反应釜内充满氮气而不是任何的溶剂做反应介质。在ITO玻璃衬底上，溅射一层均匀致密的Pb膜并通过膜厚监控系统控制所溅射的Pb膜厚度。在150摄氏度左右的温度下，升华出来的硫和ITO玻璃衬底上的Pb膜发生元素直接反应并在衬底上原位生成PbS薄膜;为了防止S蒸汽遇到镀有Pb膜的ITO衬底再次冷凝成S膜而覆盖在Pb膜上阻隔后续的元素直接反应，我们将Pb膜朝下摆放并错开S源。该PbS薄膜具有独特的双层结构并紧密吸附在衬底上，是一种绿色环保制备技术。
- 复合保护层、光电极结构以及光电化学电池-201310698752.5
- 金泰坤;李晶姬;任承宰;金泰亨 - 三星电子株式会社
- 2013-12-18 - 2018-01-26 - H01M14/00
- 本发明提供了一种光电极结构，包括化学保护层和物理保护层，其中化学保护层在水分解电势下具有每单位时间0.1C/cm2或更小的腐蚀电荷，物理保护层具有0.001g/m2/天或更小的湿气透过率并且具有电导率。此外，本发明提供了包括该光电极结构的光电化学电池。
- 专利分类
