[实用新型]干刻蚀底部电极及干刻蚀装置有效
| 申请号： | 201120453529.0 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN202307791U | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 董云;彭志龙 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种干刻蚀底部电极及干刻蚀装置，主要是为了改善干刻蚀工艺质量而设计。本实用新型所述干刻蚀底部电极，包括电极底板，以及阵列设置在所述电极底板上的支撑凸起，该支撑凸起为半球形结构。本实用新型通过将现有的立方体结构的支撑凸起改为半球形结构支撑凸起，将干刻蚀底部电极与置于其上的玻璃基板之间的面接触改为点接触，大大减小了干刻蚀底部电极与玻璃基板的接触面积，减小了接触区域和非接触区域的温度差异，提高了灰化效果，进而避免了对后续制造工艺的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 底部 电极 装置 | ||
【主权项】：
一种干刻蚀底部电极，其特征在于，包括电极底板，以及阵列设置在所述电极底板上的支撑凸起，该支撑凸起为半球形结构。
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