[实用新型]大功率光耦合隔离驱动模块有效

专利信息
申请号: 201120109578.2 申请日: 2011-04-14
公开(公告)号: CN202008998U 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 王立伟;巫江岭;张元元;杜秀杰 申请(专利权)人: 锦州辽晶电子科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31
代理公司: 锦州辽西专利事务所 21225 代理人: 李辉
地址: 121000 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种大功率光耦合隔离驱动模块,包括管壳,构成功率光耦合驱动电路的集成运算放大器芯片、光耦器件、功率器件芯片和电阻,其特殊之处是:所述的管壳为密封结构且管壳的长度为20~25mm、宽度为18-20mm,在管壳底座上焊接有金属化陶瓷基板和厚膜基板,在金属化陶瓷基板上焊接有钼片,所述的电阻为厚膜电阻且设在厚膜基板上,所述的集成运算放大器芯片和光耦器件采用导电胶粘接在厚膜基板上,所述的功率器件芯片通过共晶焊接在钼片上,所述的元器件之间采用硅铝丝互联。优点是:结构紧凑,占用空间小;大大降低了芯片烧结中的空洞率,降低了芯片到管壳的热阻,稳定性好;大大提高了大功率光耦合隔离驱动模块的可靠性,可适用于-55~100℃的工作环境。
搜索关键词: 大功率 耦合 隔离 驱动 模块
【主权项】:
一种大功率光耦合隔离驱动模块,包括管壳,构成功率光耦合驱动电路的集成运算放大器芯片、光耦器件、功率器件芯片和电阻,其特征是:所述的管壳为密封结构且管壳的长度为20~25mm、宽度为18-20mm,在管壳底座上焊接有金属化陶瓷基板和厚膜基板,在金属化陶瓷基板上焊接有钼片,所述的电阻为厚膜电阻且设在在厚膜基板上,所述的集成运算放大器芯片和光耦器件采用导电胶粘接在厚膜基板上,所述的功率器件芯片通过共晶焊接在钼片上,所述的集成运算放大器芯片、厚薄电阻、光耦器件和功率器件芯片之间采用硅铝丝互联。
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