[发明专利]一种混合线条的制造方法无效
申请号: | 201110459836.4 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103187246A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 唐波;闫江 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 朱海波 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种混合线条的制造方法,包括:在底层上依次形成材料层和硬掩模层;在所述掩模层上依次形成第一光刻胶层、抗反射层以及第二光刻胶层;使用光学曝光对所述第二光刻胶层曝光并进行显影,形成第一光刻胶图形,并以所述第一光刻胶图形为掩模,对所述抗反射层进行刻蚀,以暴露所述第一光刻胶层;使用电子束曝光对所述第一光刻胶层曝光并进行显影,形成第二光刻胶图形,并以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩模,对所述掩模层刻蚀形成第一硬掩模图形和第二硬掩模图形;以所述第一硬掩模图形和第二硬掩模图形为掩模,刻蚀所述材料层,形成第一线条和第二线条。本发明在不影响图形质量的前提下大幅缩减曝光时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 混合 线条 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种混合线条的制造方法,该方法包括以下步骤:a)在底层(10)上依次形成材料层(20)和硬掩模层(30);b)在所述硬掩模层(30)上依次形成第一光刻胶层(40)、抗反射层(50)以及第二光刻胶层(60);c)使用光学曝光对所述第二光刻胶层(60)曝光并进行显影,形成第一光刻胶图形(60a),并以所述第一光刻胶图形(60a)为掩模,对所述抗反射层(50)进行刻蚀,以暴露所述第一光刻胶层(40);d)使用电子束曝光对所述第一光刻胶层(40)曝光并进行显影,形成第二光刻胶图形(40b),并以所述第一光刻胶图形(60a)和所述第二光刻胶图形(40b)为掩模,对所述掩模层(30)刻蚀形成第一硬掩模图形(30a)和第二硬掩模图形(30b);e)以所述第一硬掩模图形(50a)和第二硬掩模图形(30b)为掩模,刻蚀所述材料层(20),形成第一线条(20a)和第二线条(20b)。
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