[发明专利]一种混合线条的制造方法无效

专利信息
申请号: 201110459836.4 申请日: 2011-12-31
公开(公告)号: CN103187246A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 唐波;闫江 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G03F7/00;G03F7/20
代理公司: 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 代理人: 朱海波
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种混合线条的制造方法,包括:在底层上依次形成材料层和硬掩模层;在所述掩模层上依次形成第一光刻胶层、抗反射层以及第二光刻胶层;使用光学曝光对所述第二光刻胶层曝光并进行显影,形成第一光刻胶图形,并以所述第一光刻胶图形为掩模,对所述抗反射层进行刻蚀,以暴露所述第一光刻胶层;使用电子束曝光对所述第一光刻胶层曝光并进行显影,形成第二光刻胶图形,并以所述第一光刻胶图形和所述第二光刻胶图形为掩模,对所述掩模层刻蚀形成第一硬掩模图形和第二硬掩模图形;以所述第一硬掩模图形和第二硬掩模图形为掩模,刻蚀所述材料层,形成第一线条和第二线条。本发明在不影响图形质量的前提下大幅缩减曝光时间。
搜索关键词: 一种 混合 线条 制造 方法
【主权项】:
一种混合线条的制造方法,该方法包括以下步骤:a)在底层(10)上依次形成材料层(20)和硬掩模层(30);b)在所述硬掩模层(30)上依次形成第一光刻胶层(40)、抗反射层(50)以及第二光刻胶层(60);c)使用光学曝光对所述第二光刻胶层(60)曝光并进行显影,形成第一光刻胶图形(60a),并以所述第一光刻胶图形(60a)为掩模,对所述抗反射层(50)进行刻蚀,以暴露所述第一光刻胶层(40);d)使用电子束曝光对所述第一光刻胶层(40)曝光并进行显影,形成第二光刻胶图形(40b),并以所述第一光刻胶图形(60a)和所述第二光刻胶图形(40b)为掩模,对所述掩模层(30)刻蚀形成第一硬掩模图形(30a)和第二硬掩模图形(30b);e)以所述第一硬掩模图形(50a)和第二硬掩模图形(30b)为掩模,刻蚀所述材料层(20),形成第一线条(20a)和第二线条(20b)。
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