[发明专利]晶片加热器及电子迁移率检测装置有效
| 申请号： | 201110459681.4 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187401A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张莉菲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶片加热器，包括：硅穿孔与位于硅穿孔两端的第一金属层与第二金属层；其中，所述硅穿孔内填充导电材质；所述第一金属层包埋在所述晶片内，所述第二金属层暴露在所述晶片表面。此外，本发明还提供一种电子迁移率检测装置。采用本发明的技术方案，可以克服现有的检测方法需要对整个加热层加热，影响无需加热的器件的性能，并且耗能多，如果不对整个加热层加热，将需检测区域切割下来，又会造成工艺复杂、浪费晶片等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加热器 电子 迁移率 检测 装置 | ||
【主权项】：
一种晶片加热器，其特征在于，包括：硅穿孔；所述硅穿孔内填充导电材质；位于硅穿孔两端的第一金属层与第二金属层；其中，所述第一金属层包埋在所述晶片内，所述第二金属层暴露在所述晶片表面。
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