[发明专利]CMOS图像传感器像素电路无效
| 申请号： | 201110449576.2 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103188451A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 汪辉;刘骁彬;陈杰;方娜;田犁 | 申请（专利权）人： | 上海中科高等研究院 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器像素电路，包括一浮栅结构、一光感测器件，一电子注入结构、一电子擦除结构、一电荷量与电压转换结构；光感测器件，用于将光信号转换成电压，输出到浮栅结构源极；电子注入结构，用于控制输出注入电压到浮栅结构漏极；电子擦除结构，用于控制输出擦除电压到浮栅结构控制栅；电荷量与电压转换结构，用于将浮栅结构浮栅的电荷量转化为数据电压信号输出。本发明的CMOS图像传感器像素电路，将常规的CMOS图像传感器像素电路中的FD用浮栅来代替，利用FN隧穿的方式读出，由于浮栅周围采用绝缘介质层隔离，因此整个存储结构具有非易失性，显著延长了电荷的在像素中的存储时间。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 像素 电路 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器像素电路，其特征在于，包括一浮栅结构、一光感测器件，一电子注入结构、一电子擦除结构、一电荷量与电压转换结构；所述浮栅结构，其结构是在衬底左右两侧分别形成有源极及漏极，源极同漏极之间的衬底上方形成有浮栅，浮栅上方形成有控制栅，衬底、浮栅、控制栅之间为介质层；所述光感测器件，用于将光信号转换成电信号，输出到所述浮栅结构的源极；所述电子注入结构，用于控制输出注入电压到所述浮栅结构的漏极；所述电子擦除结构，用于控制输出擦除电压到所述浮栅结构的控制栅；所述电荷量与电压转换结构，用于将所述浮栅结构中的浮栅存储的电荷量转化为数据电压信号输出。
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