[发明专利]真空镀膜装置及其方法

摘要

本发明涉及镀膜技术，公开了一种真空镀膜装置及其方法。本发明中，一个前真空传输腔体可同时连接至少两个并列的真空工艺腔体，根据工艺需求，并列的工艺腔体后可再连接一对或多对并列的真空工艺腔体，串联的多个真空工艺腔体即为一个真空工艺腔体组，在每个真空工艺腔体组中的最后一个真空工艺腔体后端，连接同一个后真空传输腔体。使得真空镀膜装置可同时输入至少两片基片，进行连续的工艺过程。两片基片可同时进行两种不同的工艺过程，也可同时进行两种相同的工艺过程。因此在同样的设备安装面积上，该装置可增加一倍的产出和降低成本达40％，大大提高了生成效率，降低了生产成本。

主权项

一种真空镀膜装置，其特征在于，包含：一个前真空传输腔体、至少两个并列的真空工艺腔体组、一个后真空传输腔体；所述前真空传输腔体与并列的各所述真空工艺腔体组相连，该前真空传输腔体将至少两片基片同时或先后分别传输至并列的各所述真空工艺腔体组；一片基片传输至一个所述真空工艺腔体组中，每个所述真空工艺腔体组中，包含至少一个真空工艺腔体；各所述真空工艺腔体组均与所述后真空传输腔体相连，各所述真空工艺腔体组将完成镀膜工艺的基片传输至所述后真空传输腔体后出片；其中，前真空传输腔体内设有真空压力控制器，该真空压力控制器在需对所述各基片进行相同的镀膜工艺时，将所述前真空传输腔体内的压力控制为各所述真空工艺腔体组中的相同压力；该真空压力控制器在需对所述各基片进行不同的镀膜工艺时，依次将所述前真空传输腔体内的压力控制为目标真空工艺腔体组中的压力，所述目标真空工艺腔体组为当下需要将基片传输至的真空工艺腔体组。