[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 201110443704.2 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103187495A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 林雅雯;凃博闵;黄世晟;黄嘉宏;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管芯片，包括基板、设于该基板上的缓冲层、及设于该缓冲层上的磊晶结构。所述磊晶结构包括依次形成在所述缓冲层上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层。该基板具有一与所述缓冲层接触的第一表面，该第一表面上形成有图案化结构，该n型半导体层具有一远离所述缓冲层的顶面，该顶面与该缓冲层的第一表面的距离为0.5-2.5μm。本发明还涉及一种发光二极管芯片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，包括基板、设于该基板上的缓冲层、及设于该缓冲层上的磊晶结构，所述磊晶结构包括依次形成在所述缓冲层上的n型半导体层、发光层以及p型半导体层，其特征在于，该基板具有一与所述缓冲层接触的第一表面，该第一表面上形成有图案化结构，该n型半导体层具有一远离所述缓冲层的顶面，该顶面与该缓冲层的第一表面的距离为0.5‑2.5μm。
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