[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110441126.9 申请日: 2011-12-26
公开(公告)号: CN102569442A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 彭洞清;方嘉锋 申请(专利权)人: 彭洞清
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关于薄膜太阳能电池及其制作方法,其中,薄膜太阳能电池是包括:一基板;一第一电极,是设置于基板上;一阻挡层,是设置于第一电极上,其中阻挡层的材料是为一导电材料;一欧姆接触层,是设置于阻挡层上;一吸收层,是设置于欧姆接触层上;一缓冲层,是设置于吸收层上;一透明导电层,是设置于缓冲层上;以及一第二电极,是设置于透明导电层上。
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,包括:一基板;一第一电极,设置于该基板上;一阻挡层,设置于该第一电极上,其中该阻挡层的材料为一导电材料;一欧姆接触层,设置于该阻挡层上;一吸收层,设置于该欧姆接触层上;一缓冲层,设置于该吸收层上;一透明导电层,设置于该缓冲层上;以及一第二电极,设置于该透明导电层上。
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