[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201110441126.9 | 申请日: | 2011-12-26 |
公开(公告)号: | CN102569442A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 彭洞清;方嘉锋 | 申请(专利权)人: | 彭洞清 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于薄膜太阳能电池及其制作方法,其中,薄膜太阳能电池是包括:一基板;一第一电极,是设置于基板上;一阻挡层,是设置于第一电极上,其中阻挡层的材料是为一导电材料;一欧姆接触层,是设置于阻挡层上;一吸收层,是设置于欧姆接触层上;一缓冲层,是设置于吸收层上;一透明导电层,是设置于缓冲层上;以及一第二电极,是设置于透明导电层上。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,包括:一基板;一第一电极,设置于该基板上;一阻挡层,设置于该第一电极上,其中该阻挡层的材料为一导电材料;一欧姆接触层,设置于该阻挡层上;一吸收层,设置于该欧姆接触层上;一缓冲层,设置于该吸收层上;一透明导电层,设置于该缓冲层上;以及一第二电极,设置于该透明导电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的