[发明专利]带选择性浅槽通孔的LDMOS及其制备方法

摘要

本发明公开了一种带选择性浅槽通孔的LDMOS的制备方法，在形成基本结构后，按步骤制作浅槽通孔：成长底层层间膜；成长阻挡层；刻蚀掉浅槽通孔区域的阻挡层；成长顶层层间膜；多步高选择性刻蚀，在有阻挡层区域形成正常通孔，在没有阻挡层区域形成连接体区的浅槽通孔；在浅槽通孔底部注入与体区同型的掺杂源。本发明还公开了用上述方法制备的LDMOS的结构。本发明借助选择性浅槽通孔技术，将LDMOS特定区域中垂直分布的不同型掺杂区域连接在一起，有效减少了源端的设计尺寸和芯片的面积，同时提高了器件的可靠性。

主权项

带选择性浅槽通孔结构的LDMOS的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在衬底上形成外延层、阱、栅极、体区、源区和漏区；2)成长底层层间膜；3)成长阻挡层；4)涂布光阻，曝光，刻蚀掉要制作浅槽通孔的区域的阻挡层；5)去掉光阻，成长顶层层间膜；6)涂布光阻，曝光，进行高选择性刻蚀，刻蚀掉所述浅槽通孔区域的顶层层间膜和底层层间膜，并将源极、漏极和栅极区域的通孔刻蚀到阻挡层；7)高选择性浅槽通孔刻蚀，将所述浅槽通孔刻蚀至体区；8)在所述浅槽通孔的底部，离子注入与体区同型的掺杂源；9)高选择性通孔刻蚀，刻蚀掉源极、漏极和栅极区域的阻挡层和底层层间膜；10)按照常规工艺流程进行后续的制备工艺，直至完成LDMOS的制备。