[发明专利]高临界电流密度甘氨酸掺杂MgB2超导体及制备方法有效
| 申请号： | 201110429542.7 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102531610A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘永长;蔡奇;马宗青;余黎明;高志明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高临界电流密度甘氨酸掺杂MgB2超导体及制备方法，本发明的甘氨酸掺杂二硼化镁超导体的制备方法，将Mg粉和B粉和甘氨酸颗粒充分混合，得到MgB2+2～8％％Gly混合粉末；在2～10MPa的压力下压制成圆柱体薄片，之后放入高温差示扫描量热仪或管式烧结炉中进行烧结；以5～20℃/min的升温速率的连续加热到750～850℃烧结并保温0.5～1小时，然后以30～40℃/min的冷却速度降至室温。本发明在尽量不降低超导转变温度Tc的前提下，采用一种新的含碳化合物甘氨酸掺杂来实现C取代效应，从而提高临界电流密度Jc，获得高性能的MgB2超导体。克服了传统C掺杂降低低场下临界电流密度的弊端，使临界电流密度在整个磁场下都有了提高，获得了具有优越超导电性的超导体。 | ||
| 搜索关键词： | 临界 电流密度 甘氨酸 掺杂 mgb sub 超导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种甘氨酸掺杂二硼化镁超导体，其特征是原料为Mg粉、B粉按原子比1∶2称量，再以Mg粉和B粉质量为100％计，加入质量分数为2～8％的甘氨酸，得到MgB2+2～8％Gly样品。
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