[发明专利]凸柱结构的制造方法无效
| 申请号： | 201110422079.3 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102431965A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 李凡;曹荐;林晶;徐元俊;张挺 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种凸柱结构的制造方法，凸柱结构包括底部的第一柱状结构和位于其上的其他柱状结构，制造方法包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底上形成氧化层掩模，其大小、位置与凸柱结构相对应；在硅衬底上旋涂光刻胶并作图形化；以图形化的光刻胶为掩模，干法刻蚀硅衬底，在硅衬底中形成环状的第一深槽，第一深槽内部围绕有第一柱状结构；去除光刻胶并作清洗，露出氧化层掩模；以氧化层掩模为掩模，干法刻蚀硅衬底，在硅衬底中形成第二深槽，同时在第一柱状结构上形成较之更细的第二柱状结构。本发明能够方便在较粗的柱状结构上形成较细的柱状结构，在深槽刻蚀中，较好地控制了深度、形貌、均匀性、选择比和速率。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种凸柱结构(108)的制造方法，所述凸柱结构(108)包括底部的第一柱状结构(105)和位于其上的其他柱状结构，所述制造方法包括步骤：提供硅衬底(101)；在所述硅衬底(101)上形成氧化层掩模(102)，其大小、位置与所述凸柱结构(108)相对应；在所述硅衬底(101)上旋涂光刻胶(103)并作图形化；以图形化的所述光刻胶(103)为掩模，采用反应离子刻蚀法刻蚀所述硅衬底(101)，在所述硅衬底(101)中形成环状的第一深槽(104)，所述第一深槽(104)内部围绕有所述第一柱状结构(105)；去除所述光刻胶(103)并作清洗，露出所述氧化层掩模(102)；以所述氧化层掩模(102)为掩模，干法刻蚀所述硅衬底(101)，在所述硅衬底(101)中形成第二深槽(106)，同时在所述第一柱状结构(105)上形成较之更细的所述第二柱状结构(107)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先进半导体制造股份有限公司，未经上海先进半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110422079.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂电池防爆电池盖板
- 下一篇：一种贴标机的新型导向装置
