[发明专利]凸柱结构的制造方法

权利要求书

1.一种凸柱结构(108)的制造方法，所述凸柱结构(108)包括底部的第一柱状结构(105)和位于其上的其他柱状结构，所述制造方法包括步骤：

提供硅衬底(101)；

在所述硅衬底(101)上形成氧化层掩模(102)，其大小、位置与所述凸柱结构(108)相对应；

在所述硅衬底(101)上旋涂光刻胶(103)并作图形化；

以图形化的所述光刻胶(103)为掩模，采用反应离子刻蚀法刻蚀所述硅衬底(101)，在所述硅衬底(101)中形成环状的第一深槽(104)，所述第一深槽(104)内部围绕有所述第一柱状结构(105)；

去除所述光刻胶(103)并作清洗，露出所述氧化层掩模(102)；

以所述氧化层掩模(102)为掩模，干法刻蚀所述硅衬底(101)，在所述硅衬底(101)中形成第二深槽(106)，同时在所述第一柱状结构(105)上形成较之更细的所述第二柱状结构(107)。

2.根据权利要求1所述的凸柱结构(108)的制造方法，其特征在于，所述制造方法在形成所述第二柱状结构(107)之后还包括步骤：

将所述第二柱状结构(107)上方的所述氧化层掩模(102)去除。

3.根据权利要求2所述的凸柱结构(108)的制造方法，其特征在于，所述制造方法在将所述氧化层掩模(102)去除之后还包括步骤：

在所述第二柱状结构(107)之上再形成其他柱状结构。

4.根据权利要求1所述的凸柱结构(108)的制造方法，其特征在于，在刻蚀所述第一深槽(104)的过程中，刻蚀气体采用SF₆、C₄F₈和O₂交替进行。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的凸柱结构(108)的制造方法，其特征在于，所述第一深槽(104)的深度为143μm。

6.根据权利要求1所述的凸柱结构(108)的制造方法，其特征在于，所述第二柱状结构(107)的高度为50μm。

7.根据权利要求3所述的凸柱结构(108)的制造方法，其特征在于，所述第一柱状结构(105)、所述第二柱状结构(107)或其他柱状结构为圆柱、四面体柱、六面体柱、八面体柱或者其他任何具有规则或不规则截面的柱体。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的凸柱结构(108)的制造方法，其特征在于，所述凸柱结构(108)包括2～5层堆叠的柱状结构。