[发明专利]用水蒸气或蒸汽处理基材的方法有效
| 申请号： | 201110404378.4 | 申请日： | 2008-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN102623328A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | J·W·巴特鲍;D·德克拉克;R·E·威廉姆森 | 申请（专利权）人： | FSI国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;G03F7/42;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;吴胜周 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种处理基材的方法，包括，一方面，将在其表面上具有物质的基材放入处理室内；导入液体处理组合物流股以冲击所述基材表面；和导入水蒸气流股以冲击所述基材表面和/或冲击所述液体处理组合物。本发明的优选方面为从基材上除去物质，优选除去光致抗蚀剂，其中所述处理组合物为包含硫酸和/或其脱水物种和前体的液体硫酸组合物。另一方面，将包含硫酸和/或其脱水物种和前体的液体硫酸组合物分配到小于所述基材整个表面的一部分基材表面上，分配的量足以处理该一部分基材表面；和将所述液体组合物暴露于水蒸气中，暴露的量足以将所述液体硫酸组合物的温度升至高于在暴露于所述水蒸气之前所述液体硫酸组合物的温度。在所述处理步骤期间，可以用水蒸气和/或任选的氮气环境来包围所述基材。 | ||
| 搜索关键词： | 水蒸气 蒸汽 处理 基材 方法 | ||
【主权项】：
一种处理基材的方法，包括：a)将在其表面上具有物质的基材放入处理室内；b)导入液体处理组合物流股以冲击所述基材表面；和c)导入水蒸气流股以冲击所述液体处理组合物，其中，所述液体处理组合物流股和所述水蒸气流股在冲击所述基材表面之前相交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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