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[发明专利]用于处理微电子工件的系统-CN201210165024.3有效
发明人：杰弗里·M·劳尔哈斯;吉米·D·柯林斯;特蕾西·A·加斯特;艾伦·D·罗斯 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种用于处理微电子工件的系统，包括：容纳工件的处理室，所述处理室包括将工件与环境空气隔离的边界，边界的一部分包括流动气体的帘幕；可移动盖，其覆盖在工件上并限定处理室的至少一部分边界，所述盖包括第一状态和第二状态，在第一状态中，所述盖在工件的处理期间处于第一位置，在第二状态中，所述盖处于允许向所述室逸出气体的第二位置，并且，所述盖包括至少一个入口，至少一种处理流体通过该至少一个入口被引入处理室；至少一个边界构件，其具有一边缘，当盖处于第一状态时，该边缘接近盖但与盖隔开，在工件处理期间，所述盖与至少一个边界构件之间存在间隙；流动气体的帘幕，在盖处于第一状态时，帮助将处理室与环境空气隔离。
用于处理微电子工件系统

[发明专利]用水蒸气或蒸汽处理基材的方法-CN201110404378.4有效
发明人： J·W·巴特鲍;D·德克拉克;R·E·威廉姆森 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2008-05-15 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种处理基材的方法，包括，一方面，将在其表面上具有物质的基材放入处理室内；导入液体处理组合物流股以冲击所述基材表面；和导入水蒸气流股以冲击所述基材表面和/或冲击所述液体处理组合物。本发明的优选方面为从基材上除去物质，优选除去光致抗蚀剂，其中所述处理组合物为包含硫酸和/或其脱水物种和前体的液体硫酸组合物。另一方面，将包含硫酸和/或其脱水物种和前体的液体硫酸组合物分配到小于所述基材整个表面的一部分基材表面上，分配的量足以处理该一部分基材表面；和将所述液体组合物暴露于水蒸气中，暴露的量足以将所述液体硫酸组合物的温度升至高于在暴露于所述水蒸气之前所述液体硫酸组合物的温度。在所述处理步骤期间，可以用水蒸气和/或任选的氮气环境来包围所述基材。
水蒸气蒸汽处理基材方法

[发明专利]用于处理微电子工件的设备和方法以及遮挡结构-CN201210058797.1有效
发明人： J·D·柯林斯;D·德科雷克;T·A·加斯特;A·D·罗斯 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了用一种用于处理微电子工件的设备，其包括：a)处理腔室，在处理期间在所述处理腔室中布置有工件；b)遮挡结构，其包括在处理期间叠置在工件上方并且至少部分地覆盖工件的下表面，其中在所述遮挡结构的下表面和工件之间的距离沿着朝向所述遮挡结构的外周边的方向逐渐减小；以及c)抽吸通道，其以使得在所述遮挡结构的下表面上的液体能够被从所述遮挡结构的下表面上抽吸回的方式与遮挡结构流体连通。
用于处理微电子工件设备方法以及遮挡结构

[发明专利]使用在打开与关闭操作模式之间易于转换的处理室设计处理微电子工件的工具和方法-CN200980115786.9有效
发明人：杰弗里·M·劳尔哈斯;吉米·D·柯林斯;特蕾西·A·加斯特;艾伦·D·罗斯 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2009-05-05 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了工具设计及其使用的策略，其中，工具可在关闭或打开操作模式中操作。工具根据需要在打开与关闭模式之间轻松地转换。根据一个总体策略，受环境控制的路径将环境与一个或多个处理室接合。处理室上游的空气放大能力允许根据需要将大量气流引入处理室。替代地，诸如通过简单的阀致动将流体路径轻松地关闭，以阻止通过这些路径逸出至环境。然后，可经由至少部分地与用于引入环境空气的路径共用的路径将替代的非环境流体流引入到处理室中。在其他策略中，至少用流动气体帘幕密封可移动部件之间的间隙，而不是仅依赖于直接的物理接触来进行密封。
使用打开关闭操作模式之间易于转换处理设计微电子工件工具方法

[发明专利]从基材上除去材料的方法-CN201010213329.8无效
发明人： K·K·克里斯滕森;R·J·哈尼斯塔德;P·A·卢瑟;T·J·瓦格纳 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：从基材(18)除去材料优选光致抗蚀剂的方法包括：以有效基本上均匀涂覆该材料涂覆的基材的量将包含硫酸和/或其干燥物质和前体并具有不大于5∶1的水/硫酸摩尔比的液体硫酸组合物散布到该材料涂覆的基材上。优选地，在该液体硫酸组合物的散布之前、期间或之后，将基材加热到至少大约90℃的温度。在该基材处于至少大约90℃的温度下后，将该液体硫酸组合物暴露到水蒸气中，该水蒸气的量有效将该液体硫酸组合物的温度增加到大于该液体硫酸组合物在暴露到该水蒸气中之前的温度。然后优选冲洗该基材以除去该材料。
基材除去材料方法

[发明专利]在用于通过一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中的阻挡板和文氏管容纳系统的漂洗方法以及相关装置-CN200880102051.8有效
发明人： D·德科雷克;J·D·科林斯;T·A·盖斯特;A·D·罗斯;R·E·威廉森 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种工具，用于通过一种或多种处理材料(包括液体、气体、流化固体、分散物质、它们的组合以及类似物)来处理微电子工件。本发明提供了一种快速、高效漂洗润湿表面的方法，本发明在用于漂洗活动阻挡板结构的下表面时特别有利，该阻挡板结构例如阻挡板，它位于处理的工件的上面，以便限定在工件之上的锥形流动槽道。并不是将漂洗液体喷射至表面上(这样产生不希望的飞溅、液滴或雾)，而是液体被流动性地分配(优选是在层流状态下)至与要漂洗的表面流体连通的表面上。平滑、均匀的润湿和片状流动作用导致完成漂洗，同时明显降低了产生颗粒污染的危险。
用于通过一种多种处理流体微电子工件工具中的阻挡和文容纳系统漂洗方法

[发明专利]用水蒸气或蒸汽处理基材的方法-CN200880016565.1无效
发明人： J·W·巴特鲍;D·德克拉克;R·E·威廉姆森 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2008-05-15 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种处理基材的方法，包括，一方面，将在其表面上具有物质的基材放入处理室内；导入液体处理组合物流股以冲击所述基材表面；和导入水蒸气流股以冲击所述基材表面和/或冲击所述液体处理组合物。本发明的优选方面为从基材上除去物质，优选除去光致抗蚀剂，其中所述处理组合物为包含硫酸和/或其脱水物种和前体的液体硫酸组合物。另一方面，将包含硫酸和/或其脱水物种和前体的液体硫酸组合物分配到小于所述基材整个表面的一部分基材表面上，分配的量足以处理该一部分基材表面；和将所述液体组合物暴露于水蒸气中，暴露的量足以将所述液体硫酸组合物的温度升至高于在暴露于所述水蒸气之前所述液体硫酸组合物的温度。在所述处理步骤期间，可以用水蒸气和/或任选的氮气环境来包围所述基材。
水蒸气蒸汽处理基材方法

[发明专利]液体气溶胶颗粒去除方法-CN200780028224.1无效
发明人： J·W·巴特鲍;T·A·加斯特 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：通过包括以下步骤的方法从基材(13)的表面上除去颗粒：使包含水和表面活性化合物的液体气溶胶液滴在足以从该表面上除去颗粒的力下接触该表面。
液体气溶胶颗粒去除方法

[发明专利]在用一种或多种处理流体来处理微电子工件的工具中使用的喷嘴装置和遮挡结构-CN200780025698.0有效
发明人： J·D·柯林斯;D·德科雷克;T·A·加斯特;A·D·罗斯 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了用于采用一种或多种处理材料来处理微电子工件的工具，所述处理材料包括液体、气体、流化固体、这些的组合物等。
一种多种处理流体微电子工件工具使用喷嘴装置遮挡结构

[发明专利]从基材上除去材料的方法-CN200680043710.6有效
发明人： K·K·克里斯滕森;R·J·哈尼斯塔德;P·A·卢瑟;T·J·瓦格纳 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：从基材(18)除去材料优选光致抗蚀剂的方法包括：以有效基本上均匀涂覆该材料涂覆的基材的量将包含硫酸和/或其干燥物质和前体并具有不大于5∶1的水/硫酸摩尔比的液体硫酸组合物散布到该材料涂覆的基材上。优选地，在该液体硫酸组合物的散布之前、期间或之后，将基材加热到至少大约90℃的温度。在该基材处于至少大约90℃的温度下后，将该液体硫酸组合物暴露到水蒸汽中，该水蒸汽的量有效将该液体硫酸组合物的温度增加到大于该液体硫酸组合物在暴露到该水蒸汽中之前的温度。然后优选冲洗该基材以除去该材料。
基材除去材料方法

[发明专利]使用臭氧处理类晶片物体-CN200580036238.9无效
发明人：库尔特·K·克里斯腾森;菲利普·G·克拉克 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2005-09-13 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及用臭氧处理类晶片物体(例如，具有暴露铜部件和/或包含低k电介质材料)的方法。在某些优选实施例中，还使用碱用于处理类晶片物体。
使用臭氧处理晶片物体

[发明专利]在一个或多个晶片上带出流体及随后干燥处理的系统和方法-CN200580024716.4有效
发明人： A·C·本森;E·D·奥尔森;D·S·斯佩思 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2005-05-25 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：在工艺室内处理微电子基片的系统，该系统结合了从湿法过渡到干法(特别是从冲洗过渡到干燥)的改进技术。在润湿处理之后保留在液体供应管线内的至少部分残余液体经路径脱除，以避免直接吹扫到基片上。本发明还包括相关的方法。
一个晶片上带出流体随后干燥处理系统方法

[发明专利]旋转式活接头、流体输送系统以及相关方法-CN200580012646.0无效
发明人： A·C·本森;E·D·汉兹利克 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： F16L27/08 文献下载
摘要：一种旋转式活接头(20)，具有壳体(37)、转子(70)以及一根柱子，以便使得流体可以通过该旋转式活接头(20)进行输送。转子(70)被可旋转地联接在壳体(37)上，优选的是利用至少一个介于转子外部的一部分与壳体内部的一部分之间的轴承来联接。所述柱子被以一种有助于以流通方式联接转子(70)和壳体(37)的方式置于旋转式活接头(20)中，并且使得一个圆环状间隙环绕在所述柱子的至少一部分的周围，以便使得该圆环状间隙构成一条排放流体路径的至少一部分。本发明还包括具有这种旋转式活接头(20)的流体输送系统和制取和/或使用这种旋转式活接头(20)的方法。
旋转接头流体输送系统以及相关方法

[发明专利]用于声场均匀性的声扩散器-CN200480026073.2无效
发明人： K·K·克里斯滕森 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：用于处理半导体晶片的设备和方法。在一个实施方案中，该设备包括：一浸没处理容器(10)，在该浸没处理容器中，在处理期间一个或多个晶片(16)设置在处理液(18)中；至少一个声源(22)，它与处理液(18)声学耦合并且在处理期间在装在处理容器(10)中的处理液(18)中产生出一声场；以及一声扩散系统(28)，它包括多个按照有效地使从声源(22)传送给处理液(18)的声能扩散的方式设置的声扩散元件。在另一个实施方案中，该声扩散系统(28)包括至少一个按照有效地减小在处理液(18)中的声能干涉的方式设置的定向相位调制元件。本发明还描述了相关的方法。
用于声场均匀扩散器

[发明专利]非常均匀的氧化物层、尤其是超薄层的受控生长-CN200480024258.X无效
发明人：托马斯·J·瓦格纳 -专利权人： FSI国际公司
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及制造具有高水平的均匀度的氧化物层优选为超薄氧化物层的方法。一种这样的方法包括步骤：在半导体衬底的半导体表面上直接或间接地形成基本饱和或饱和的氧化物层；并且将基本饱和或饱和的氧化物层的厚度以刻蚀法减少一定量，使得刻蚀后的氧化物层具有小于基本饱和或饱和的氧化物层的厚度。在特定实施例中，本发明的方法提供具有小于约+/－10％的均匀度的刻蚀氧化物层。本发明还涉及由本发明的方法制成的微电子器件和用于实施本发明方法的制造系统。
非常均匀氧化物尤其是薄层受控生长

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