[发明专利]DLC沉膜的膜厚均匀性控制方法及调整底盘有效
申请号: | 201110400924.7 | 申请日: | 2011-12-06 |
公开(公告)号: | CN103147070B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 付秀华;李琳;刘冬梅;张静 | 申请(专利权)人: | 长春理工大学 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/26;C23C16/458 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 130022 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明提供一种DLC沉膜的膜厚均匀性控制方法及调整底盘,该方法包括以下步骤将待沉膜的工件至于金属材质制作的调整底盘上并与该调整底盘相配合,且所述调整底盘暴露的周侧面与所述工件的待沉膜表面之间形成连续的过渡;将所述工件及调整底盘放置于真空电场环境中;在所述工件的待沉膜表面及调整底盘暴露的周侧面沉积DLC膜层;将沉积有DLC膜的工件从所述调整底盘上取下即完成了对所述工件的DLC沉膜。本发明通过在待沉膜工件的底部托起该调整底盘改变待沉膜工件下部边缘的电场,使得原来分布在其下边缘的不均匀电场变得均匀,从而改变沉积在整个工件外表面的DLC膜的均匀性,解决了现有技术中成品件下边缘脱膜的技术问题。 | ||
搜索关键词: | dlc 均匀 控制 方法 调整 底盘 | ||
【主权项】:
一种DLC沉膜的膜厚均匀性控制方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,将待沉膜的工件置于金属材质的调整底盘上,所述调整底盘与工件相适配,且调整底盘暴露的周侧面与所述工件的待沉膜表面之间形成连续的过渡;步骤2,将所述工件及调整底盘放置于真空电场环境中;步骤3,在所述工件的待沉膜表面及调整底盘暴露的周侧面沉积DLC膜层;步骤4,将沉积有DLC膜的工件从所述调整底盘上取下即完成了对所述工件的DLC沉膜;所述步骤1具体为:所述调整底盘由金属圆环和设在该金属圆环内的底架构成;将所述待沉膜工件置于该底架和金属圆环上,并使所述金属圆环暴露的周侧面与所述工件的待沉膜表面之间形成连续的过渡。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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