[发明专利]记忆元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆元件及其制造方法。该记忆元件包括穿隧介电层、栅极、至少一电荷储存层、二掺杂区以及字元线。穿隧介电层位于基底上。栅极位于穿隧介电层上。电荷储存层位于栅极与穿隧介电层之间。掺杂区位于栅极两侧的基底中。字元线位于栅极上，与栅极电性连接，且字元线的厚度大于栅极的厚度。本发明还提供了一种记忆元件的制造方法用于制造上述的记忆体元件。本发明的记忆元件的制造方法可以通过简单的工艺来避免条状导体层在蚀刻的过程中发生阶梯残留所造成的短路问题。而本发明所制造的记忆元件可以提供定位的电荷储存区域，以使电荷可以完全定位化储存，得到较佳的第二位元，减少编程干扰的行为，并且可以减少短通道效应。

主权项

一种记忆元件，其特征在于其包括：一穿隧介电层，位于一基底上；一栅极，位于该穿隧介电层上；至少一电荷储存层，位于该栅极与该穿隧介电层之间；二掺杂区，位于该栅极两侧的该基底中；以及一字元线，位于该栅极上，与该栅极电性连接，且该字元线的厚度大于该栅极的厚度。