[发明专利]PMOS源漏区离子注入方法及相应的器件制造方法

摘要

本发明公开了一种PMOS源漏区离子注入方法及相应的器件制造方法。利用无定形碳层可以完全去除掉并不会造成硅凹陷的特性，使用无定形碳层作为PMOS源漏区离子注入的垫层，可以在基本不改变注入杂质分布的情况下，降低注入杂质在硅衬底中的射程，从而可以得到比常规方法更浅的超浅结；或者是在保持超浅结结深不变的情况下，增大注入的能量，从而在一定程度上缓解工艺对于大剂量、低能量离子注入的需求，降低PMOS源漏区离子注入的工艺难度。本发明提供的PMOS源漏区离子注入方法及相应的器件制造方法，可以改进PMOS源漏区超浅结的离子注入工艺，降低工艺难度。

主权项

一种PMOS源漏区离子注入方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧形成有侧墙；在上述结构表面沉积一无定形碳层；以所述侧墙为掩蔽，在所述栅极结构两侧进行PMOS源漏区离子注入，使离子穿过所述无定形碳层注入到衬底内。