[发明专利]用于单晶硅连续生长的系统

摘要

用于单晶锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。

主权项

一种高纯度单晶锭，其特征在于大量减少的位错缺陷以及轴向和径向均匀的电阻率或电导率，该单晶锭通过包括下列步骤的方法制成：从籽晶生长单晶锭，该籽晶容纳在宽直径、低长宽比坩埚中的晶体/熔体界面处，以防止形成对流和使熔体中的氧最少化，其中所述坩埚包括围绕晶体的堰；熔化晶体原料并提供掺杂剂，以便维持坩埚中熔体无热扰动的补充；在坩埚之下提供多个独立可控加热器，以建立横跨熔体以及特别是在晶体熔体界面处的可控热区，使得横跨生长锭的半径而维持均匀热分布。