[发明专利]具有鳍状结构的场效晶体管的结构及其制作方法有效
申请号: | 201110351959.6 | 申请日: | 2011-11-09 |
公开(公告)号: | CN103107139B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 林建廷 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8238 | 分类号: | H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种具有鳍状结构的场效晶体管的结构及其制作方法。制作方法包含提供一基底、形成一第一掺质浓度的离子阱于基底内、形成至少一鳍状结构,设置于基底上、进行至少一第一离子注入制作工艺,以形成一位于基底的第一导电型的抗贯穿离子注入区,其中抗贯穿离子注入区具有一第三掺质浓度,且第三掺质浓度大于该第一掺质浓度、在第一离子注入制作工艺之后,形成至少一通道层沿着鳍状结构的至少一表面设置、形成一栅极,覆盖住部分的鳍状结构、以及形成一源极以及一漏极,设置于栅极的两侧的鳍状结构中。 | ||
搜索关键词: | 具有 结构 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种具有鳍状结构的场效晶体管的制作方法,包含有:提供一基底;形成一第一导电型的离子阱于该基底内,且该离子阱具有一第一掺质浓度;形成至少一鳍状结构,设置于该基底上;进行至少一第一离子注入制作工艺,以形成一位于该基底的第一导电型的抗贯穿(anti‑punch)离子注入区,其中该抗贯穿离子注入区具有一第三掺质浓度,且该第三掺质浓度大于该第一掺质浓度;在该第一离子注入制作工艺之后,通过外延制作工艺形成至少一通道层沿着该鳍状结构的至少一表面设置;形成一栅极,覆盖住部分的该鳍状结构;以及形成一源极以及一漏极,设置于该栅极的两侧的该鳍状结构中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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