[发明专利]具有鳍状结构的场效晶体管的结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110351959.6 申请日: 2011-11-09
公开(公告)号: CN103107139B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 林建廷 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/8238 分类号: H01L21/8238;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种具有鳍状结构的场效晶体管的结构及其制作方法。制作方法包含提供一基底、形成一第一掺质浓度的离子阱于基底内、形成至少一鳍状结构,设置于基底上、进行至少一第一离子注入制作工艺,以形成一位于基底的第一导电型的抗贯穿离子注入区,其中抗贯穿离子注入区具有一第三掺质浓度,且第三掺质浓度大于该第一掺质浓度、在第一离子注入制作工艺之后,形成至少一通道层沿着鳍状结构的至少一表面设置、形成一栅极,覆盖住部分的鳍状结构、以及形成一源极以及一漏极,设置于栅极的两侧的鳍状结构中。
搜索关键词: 具有 结构 晶体管 及其 制作方法
【主权项】:
一种具有鳍状结构的场效晶体管的制作方法,包含有:提供一基底;形成一第一导电型的离子阱于该基底内,且该离子阱具有一第一掺质浓度;形成至少一鳍状结构,设置于该基底上;进行至少一第一离子注入制作工艺,以形成一位于该基底的第一导电型的抗贯穿(anti‑punch)离子注入区,其中该抗贯穿离子注入区具有一第三掺质浓度,且该第三掺质浓度大于该第一掺质浓度;在该第一离子注入制作工艺之后,通过外延制作工艺形成至少一通道层沿着该鳍状结构的至少一表面设置;形成一栅极,覆盖住部分的该鳍状结构;以及形成一源极以及一漏极,设置于该栅极的两侧的该鳍状结构中。
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