[发明专利]用于评价OPC效果的测试结构有效
| 申请号： | 201110335409.5 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103094251A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘梅;朱冬慧;陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于评价CMOS多晶硅层OPC效果的测试结构，该结构包括2N个CMOS器件，根据设定尺寸采用相应的一套包括OPC过程的CMOS半导体工艺生产，将N个CMOS器件作为一组阵列，该阵列因布图方式不同而分为2组，一组作为检验组，另一组作为参照组；检验组中的CMOS器件，其L形多晶硅距离单晶硅有源区的间距等于e；参照组中的CMOS器件，其L形多晶硅距离单晶硅有源区的间距大于等于2e；e为该套CMOS半导体工艺设计规则中的L形多晶硅距离同一MOS的单晶硅有源区的最小距离。本发明还公开了一种用于评价CMOS单晶硅有源区层OPC效果的测试结构。本发明的测试结构，能直观的根据器件电学特性数据检验OPC是否已经消除了角部圆角化效应对器件特性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 评价 opc 效果 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种用于评价CMOS多晶硅层OPC效果的测试结构，所述测试结构包括2*N个CMOS器件，N为大于等于3的整数，根据设定尺寸采用相应的一套包括OPC过程的CMOS半导体工艺生产，其特征在于，所述2*N个CMOS器件中的N个CMOS器件作为检验组；所述2*N个CMOS器件中的N个CMOS器件作为参照组；所述检验组中的CMOS器件，其L形多晶硅距离单晶硅有源区的间距等于e；所述参照组中的CMOS器件，其L形多晶硅距离单晶硅有源区的间距大于等于2e；e为该套CMOS半导体工艺设计规则中的L形多晶硅距离同一MOS的单晶硅有源区的最小距离。
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