[发明专利]一种PN结器件铝穿通的判定方法有效
| 申请号： | 201110335312.4 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103094141A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 张博 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N27/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PN结器件铝穿通的判定方法，包括：在P型衬底中利用离子注入形成N阱；在N阱中通过离子注入形成一个N型掺杂区和多个P型掺杂区域；进行高温活化，生长介质层；在N型和P型掺杂区对应的位置刻蚀连接孔，连接孔底部和N型、P型掺杂区域接触；连接孔侧面、底部和氧化膜表面，溅射形成一阻挡层，将铝铜合金填充到连接孔中；刻蚀定义出金属连线一单独连接N型掺杂区域作为A端，刻蚀定义出金属连线二将P型掺杂区域连接在一起作为B端；在A端上加一个高电位V，B端接地线，A、B两端的电压差小于P型掺杂和N阱的击穿电压；测量A、B两端之间的电流，根据A、B两端之间电流判断该厚度的阻挡层是否发生铝穿通。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pn 器件 铝穿通 判定 方法 | ||
【主权项】：
一种PN结器件铝穿通的判定方法，包括：(1)在P型衬底中利用离子注入形成N阱；(2)在N阱中通过离子注入形成一个N型掺杂区和多个P型掺杂区域；进行高温活化，生长一层氧化膜作为层间介质层；(4)在N型和P型掺杂区对应的位置刻蚀连接孔，连接孔的底部和N型、P型掺杂区域接触；(5)在连接孔侧面、底部和氧化膜表面，溅射形成一阻挡层，将铝铜合金填充到连接孔中；其特征是，还包括以下步骤：(6)刻蚀定义出金属连线一单独连接N型掺杂区域作为A端，刻蚀定义出金属连线二将P型掺杂区域连接在一起作为B端；(7)在A端上加一个高电位V，B端接地线，A、B两端的电压差小于P型掺杂和N阱的击穿电压；(8)测量A、B两端之间的电流；A、B两端之间电流为皮安级别，判断该厚度的阻挡层未发生铝穿通；A、B两端之间电流为微安级别，判断该厚度的阻挡层发生铝穿通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
