[发明专利]一种条形掩埋分布反馈半导体激光器的制作方法

摘要

本发明公开了一种条形掩埋分布反馈半导体激光器的制作方法，首先进行一次外延，形成一次外延片；利用单光束球面光的方式制作波长渐变的分布反馈布拉格光栅；利用金属有机物化学气相沉积技术进行光栅掩埋；结合反应离子刻蚀和两步湿法腐蚀的方式进行脊形条制作；利用MOCVD先高温回熔，再以快速生长的方式进行条形掩埋；去除SiO2掩膜条以及铟镓砷磷保护层，生长P型磷化铟盖层、P+铟镓砷接触层；大双沟结构制作，淀积SiO2绝缘介质膜，制作P面电极，衬底减薄，制作N面电极，端面蒸镀光学膜，最后制成激光器芯片。采用本发明方法制作的激光器具有低阈值、低电阻、既宽且稳定的工作温度范围、高可靠性、高成品率等特点。

主权项

一种条形掩埋分布反馈半导体激光器的制作方法，其特征在于，其包括有如下步骤：1）首先进行一次外延，形成一次外延片，该一次外延片具有有源层，该有源层以铟镓砷磷材料制成，且该有源层采用应变补偿多周期量子阱阱层、垒层结构；2）利用单光束球面光全息光刻技术在一次外延片上制作波长渐变的分布反馈布拉格光栅，并利用金属有机化合物化学气相沉积技术进行二次外延，分别生长第二P型InP层与P型InGaAsP保护层，使光栅掩埋；3）利用等离子化学气相沉积淀积形成SiO2掩膜层，采用光刻技术和反应离子刻蚀工艺制作SiO2掩膜条，并利用反应离子刻蚀工艺和两步湿法腐蚀工艺制作脊形条；4）利用金属有机化合物化学气相沉积技术进行三次外延，外延生长第三P型InP层及N型InP层，以掩埋脊形条；5）去除SiO2掩膜条以及P型InGaAsP保护层，利用金属有机化合物化学气相沉积方式在外延片整个表面生长P型InP盖层与P+型InGaAs接触层；6）大双沟限制泄漏电流及PN结散热结构制作，淀积SiO2绝缘介质膜，制作P面电极，衬底减薄，制作N面电极，端面蒸镀光学膜，最后制成激光器芯片。