[发明专利]一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法

摘要

本发明提供一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI及其制备方法，首先在一衬底上按周期交替生长Ge层（Si层）与Si1-xGex层形成超晶格结构，然后再低温生长Si1-mGem材料，控制此外延层的厚度，使其小于临界厚度。紧接着对样品进行退火或离子注入加退火处理，使顶层的Si1-mGem材料弛豫。最后采用智能剥离的方法将顶层的Si1-mGem及超晶格结构转移到SiO2/Si结构的支撑材料上，形成多层材料。使用研磨或CMP的方法制备高质量的SGOI。由此，利用超晶格结构材料，我们制备出高质量、低成本、低缺陷、厚度可控的SGOI。

主权项

一种利用超晶格结构材料制备的高质量SGOI的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供第一衬底，在所述第一衬底上按周期交替形成Ge层与Si1‑xGex层，或按周期交替形成Si层与Si1‑xGex层，其中，0＜x＜1，且各该Si1‑xGex层中Ge组分x随周期数的增加而递增，直至形成一顶Si1‑yGey层，其中，x＜y＜1，以获得SiGe超晶格结构；2)在所述顶Si1‑yGey层上形成Si1‑mGem层，其中，m＜y，然后对所得结构进行退火处理或离子注入加退火处理，以使所述Si1‑mGem层产生弛豫；3)提供具有绝缘层的第二衬底，键合所述绝缘层与Si1‑mGem层；4)对所述第一衬底或SiGe超晶格结构的预设界面进行剥离，并对剥离表面进行抛光，以去除所述第一衬底及SiGe超晶格结构，以完成SGOI的制备。