[发明专利]具有侧面保护的半导体晶圆制造方法及系统有效
| 申请号： | 201110321260.5 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN103050435A | 公开（公告）日： | 2013-04-17 |
| 发明（设计）人： | 柯孟综 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种具有侧面保护的半导体晶圆制造方法及系统。该系统，其包含一电源，可与一半导体晶圆连接，该晶圆具有相对的主要前表面及后表面，并由一侧边连接在一起，该晶圆可以进行包括电镀一嵌镶层于该晶圆上的前段工艺。此系统也包含一高分子层涂布系统以在电镀该嵌镶层之前施加一高分子涂布于该晶圆的该侧边，其中该高分子层涂布系统是由一电源所驱动的一电泳技术来施加该高分子层。在此方式下，该高分子涂布施加于该晶圆的该主要前表面及后表面的一部分以及该侧边，且该高分子涂布形成的高分子层是作为防止该嵌镶层形成于该晶圆的该侧边的一阻障层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧面 保护 半导体 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种具有侧面保护的半导体晶圆制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一半导体晶圆，该晶圆具有相对的主要前表面及后表面，并由一侧边连接在一起，该晶圆可以进行包括电镀一嵌镶层于该晶圆上的工艺；在电镀该嵌镶层之前，施加一高分子涂布于该晶圆的该侧边，该高分子涂布施加于该侧边但是没有施加于该晶圆的该主要前表面及后表面的至少一部分，该高分子涂布是形成一高分子层作为防止该嵌镶层形成于该晶圆的该侧边的一阻障层；其中该高分子层是由一电源所驱动的一电泳技术来实施。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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