[发明专利]基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM结构及其制备方法

摘要

本发明提供了一种基于埋层N型阱的1T-DRAM结构及其制备方法，埋层N型阱和源漏区采用宽禁带的半导体材料，而体区采用窄禁带的半导体材料，即采用异质结的方法来改善常规1T-DRAM的性能，增大了信号裕度、1T-DRAM的保留时间和1T-DRAM单元的读写速率。

主权项

一种基于埋层N型阱的异质结1T‑DRAM结构，其特征在于，包括硅基底层、体区层、以及位于所述体区层和硅基底层之间的埋层N型阱，所述体区层材质为P型锗硅，所述埋层N型阱材质为N型碳化硅；在所述体区层上表面还覆盖有一层硅膜；所述异质结1T‑DRAM结构还包括位于体区层上的栅极和位于栅极两侧的漏、源区；以所述栅极为中心，所述漏、源区外侧分别设有浅沟槽；所述浅沟槽下底低于埋层N型阱上表面、而高于埋层N型阱下表面。